Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PEMD6,115
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PEMD6,115-DG
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Αποθέμα:
4000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12831971
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PEMD6,115 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
-
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
1µA
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-666
Βασικός αριθμός προϊόντος
PEMD6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
1727-PEMD6,115DKR
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-DG
PEMD6,115-DG
1727-PEMD6,115TR
934056709115
2166-PEMD6,115-1727
1727-PEMD6,115CT
5202-PEMD6,115TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4990FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4990FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NSBC143TPDXV6T1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3926
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NSBC143TPDXV6T1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EMH3T2R
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
528
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EMH3T2R-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1910FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4750
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1910FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PUMD12/DG/B3,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMD3,125
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMH13F
TRANS PREBIAS SOT363/SC88
