NXV75UPR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NXV75UPR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NXV75UPR-DG

Περιγραφή:

NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

27498 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950038
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NXV75UPR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-NXV75UPRCT
934661662215
5202-NXV75UPRTR
1727-NXV75UPRTR
1727-NXV75UPRDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
central-semiconductor

CDM2206-800LR

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

nexperia

PXN017-30QLJ

PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXN6R2-25QLJ

PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33

alpha-and-omega-semiconductor

AOC3844

MOSFET N-CH 6-DFN