NXV65UPR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NXV65UPR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NXV65UPR-DG

Περιγραφή:

NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

50625 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950069
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NXV65UPR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
458 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-NXV65UPRDKR
1727-NXV65UPRCT
1727-NXV65UPRTR
934661665215
5202-NXV65UPRTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PXN7R7-25QLJ

PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXN6R7-30QLJ

PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

NXV55UNR

NXV55UN/SOT23/TO-236AB

transphorm

TP65H070LSG-TR

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88