Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
GAN140-650EBEZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
GAN140-650EBEZ-DG
Περιγραφή:
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Αποθέμα:
2461 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13005803
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
GAN140-650EBEZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 17.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (Μέγ.)
+7V, -1.4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
113W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN8080-8
Συσκευασία / Θήκη
8-VDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
GAN140
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
1727-GAN140-650EBEZCT
1727-GAN140-650EBEZDKR
934665902332
5202-GAN140-650EBEZTR
1727-GAN140-650EBEZTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
