BUK9Y22-60ELX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BUK9Y22-60ELX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BUK9Y22-60ELX-DG

Περιγραφή:

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 50A (Ta) 95W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986199
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BUK9Y22-60ELX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2592 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
95W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q100
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
1727-BUK9Y22-60ELDKR-DG
1727-BUK9Y22-60ELTR
1727-BUK9Y22-60ELDKR
5202-BUK9Y22-60ELXTR
1727-BUK9Y22-60ELXCT
BUK9Y22-60EL
934664843115
1727-BUK9Y22-60ELTR-DG
1727-BUK9Y22-60ELXDKR
1727-BUK9Y22-60ELXTR
1727-BUK9Y22-60ELCT
1727-BUK9Y22-60ELCT-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
goford-semiconductor

GT105N10F

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F

infineon-technologies

IAUZ40N08S5N100ATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON

vishay-siliconix

SQS160ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

goford-semiconductor

G10P03

P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3