Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BUK9MJT-55PRF,518
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BUK9MJT-55PRF,518-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 55V 20SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 55V Surface Mount 20-SO
Αποθέμα:
12829199
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BUK9MJT-55PRF,518 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
20-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
BUK9M
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
934061029518
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMCPB5530X,115
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.4A 6HUSON
PHKD6N02LT,518
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP