Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BUK9MJJ-65PLL,518
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BUK9MJJ-65PLL,518-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 65V 11.6A 20SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 65V 11.6A (Tc) 4.4W (Tc) Surface Mount 20-SO
Αποθέμα:
12831172
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BUK9MJJ-65PLL,518 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchPLUS
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
65V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.6A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30.8nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2660pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
4.4W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
20-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
BUK9M
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
934063229518
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDT670UPE,115
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
BUK9MTT-65PBB,518
MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
