Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSN20BKR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSN20BKR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Αποθέμα:
169700 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829001
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSN20BKR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
265mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
20.2 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
310mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSN20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
568-12638-1
568-12638-2
568-12638-2-DG
2156-BSN20BKRTR
1727-2341-6
568-12638-6
1727-2341-2
1727-2341-1
934068054215
568-12638-1-DG
568-12638-6-DG
5202-BSN20BKRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK9213-60EJ
MOSFET N-CH 60V DPAK
PSMN6R4-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
