BSH207,135
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BSH207,135

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BSH207,135-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 1.52A (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

12826704
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BSH207,135 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.52A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
600mV @ 1mA (Typ)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
500 pF @ 9.6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
417mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
934055227135
BSH207 /T3-DG
568-11041-2
568-11041-1
BSH207 /T3
BSH207,135-DG
568-11041-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

BSC022N03SG

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

nexperia

BUK964R2-80E,118

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

nexperia

2N7002BKW,115

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

nexperia

BUK9640-100A,118

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK