BSH103BKR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BSH103BKR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BSH103BKR-DG

Περιγραφή:

BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 1A (Ta) 330mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

22763 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950400
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BSH103BKR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
79.3 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-BSH103BKRDKR
5202-BSH103BKRTR
934662517215
1727-BSH103BKRCT
1727-BSH103BKRTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

PMPB16R5XNEX

PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR

transphorm

TP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

vishay-siliconix

SQS486CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

vishay-siliconix

SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)