Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANTXV2N6898
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANTXV2N6898-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Αποθέμα:
12930173
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANTXV2N6898 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-204AA, TO-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4
Άλλα ονόματα
150-JANTXV2N6898
JANTXV2N6898-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
R6035KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
R6035ENZ4C13
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
