Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANTXV2N6800
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANTXV2N6800-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Αποθέμα:
12926333
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANTXV2N6800 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
Military, MIL-PRF-19500/557
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
400 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-205AF (TO-39)
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AF Metal Can
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
150-JANTXV2N6800
JANTXV2N6800-DG
JANTXV2N6800-MIL
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
JANTX2N6901
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF
NTE2382
MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
SFH154
MOSFET N-CH 150V 34A TO3P