Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANTXV2N6796U
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANTXV2N6796U-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Αποθέμα:
12922096
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANTXV2N6796U Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28.51 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/557
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
18-ULCC (9.14x7.49)
Συσκευασία / Θήκη
18-CLCC
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTXV2N6796U-MIL
JANTXV2N6796U-DG
150-JANTXV2N6796U
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
JAN2N6796
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
JANTXV2N7236U
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
IRFL4310PBF
MOSFET N-CH 100V SOT223
