JANTXV2N6782
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

JANTXV2N6782

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

JANTXV2N6782-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 3.5A TO205AF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Αποθέμα:

12924748
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

JANTXV2N6782 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
610mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta), 15W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/556
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-205AF (TO-39)
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AF Metal Can

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTXV2N6782-MIL
JANTXV2N6782-DG
150-JANTXV2N6782

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDN359BN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

microsemi

JANTX2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF

panasonic

2SJ067400L

MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

microsemi

JANTXV2N6784

MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF