Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANSR2N7381
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANSR2N7381-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Αποθέμα:
13253619
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANSR2N7381 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
490mOhm @ 9.4A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/614
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-257
Συσκευασία / Θήκη
TO-257-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANSR2N7381-ND
150-JANSR2N7381
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT10050JVFR
MOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP
APT12057JFLL
MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP
APT24M80S
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK