JANSR2N7380
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

JANSR2N7380

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

JANSR2N7380-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

Αποθέμα:

13247091
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

JANSR2N7380 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 14.4A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/614
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-257
Συσκευασία / Θήκη
TO-257-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANSR2N7380-ND
150-JANSR2N7380

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microsemi

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT56M50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264