Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JAN2N6901
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JAN2N6901-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1.69A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Αποθέμα:
12929331
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JAN2N6901 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.69A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.07A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
8.33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/570
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-205AF (TO-39)
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AF Metal Can
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
150-JAN2N6901
JAN2N6901-MIL
JAN2N6901-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTD24N06T4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
SIHU5N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
JANTXV2N6756
MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA
