Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APTM120U10DAG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APTM120U10DAG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Αποθέμα:
13252541
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APTM120U10DAG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
160A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 58A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 20mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
28900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SP6
Συσκευασία / Θήκη
SP6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
APTM120U10DAG-ND
150-APTM120U10DAG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT20M19JVR
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
APT29F80J
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
APT75M50L
MOSFET N-CH 500V 75A TO264