Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT6M100K
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT6M100K-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Αποθέμα:
13257353
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT6M100K Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1410 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
225W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 [K]
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
APT6M100K-ND
150-APT6M100K
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT8065SVRG
MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
APT6029BLLG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
