Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT5022BNG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT5022BNG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 27A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Αποθέμα:
13254563
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT5022BNG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
POWER MOS IV®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
220mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
150-APT5022BNG
APT5022BNG-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT60N60BCSG
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
JANSR2N7269
MOSFET N-CH 200V 26A TO254AA
APT8043BLLG
MOSFET N-CH 800V 20A TO247
