Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT35SM70B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT35SM70B-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
13253326
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT35SM70B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1035 pF @ 700 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
176W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT10M07JVR
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APTML100U60R020T1AG
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
