Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT20N60BC3G
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT20N60BC3G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
13249531
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT20N60BC3G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.9V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2440 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
208W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
APT20N60BC3G-ND
150-APT20N60BC3G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT6025BVRG
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
APT1204R7SFLLG
MOSFET N-CH 1200V 3.5A D3PAK
APTM10UM01FAG
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
