Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT17N80BC3G
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT17N80BC3G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
13247758
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT17N80BC3G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.9V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
208W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT5010LVRG
MOSFET N-CH 500V 47A TO264
APT8011JFLL
MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP
APT30M36LLLG
MOSFET N-CH 300V 84A TO264
