APT10M09B2VFRG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

APT10M09B2VFRG

Product Overview

Κατασκευαστής:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

APT10M09B2VFRG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Αποθέμα:

13261425
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

APT10M09B2VFRG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
POWER MOS V®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9875 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
T-MAX™ [B2]
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

APT10026L2LLG

MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX

microchip-technology

APT50M65JLL

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

microchip-technology

APT50M75JLLU2

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

microchip-technology

APTM20UM03FAG

MOSFET N-CH 200V 580A SP6