Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT10035B2LLG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT10035B2LLG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Αποθέμα:
13249883
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT10035B2LLG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
POWER MOS 7®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
28A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5185 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
690W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
T-MAX™ [B2]
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
APT10035
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
150-APT10035B2LLG
APT10035B2LLG-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT10090BLLG
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
APT50M85JVFR
MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP
