Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VN2210N2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microchip Technology
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VN2210N2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Αποθέμα:
596 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12808694
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VN2210N2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microchip Technology
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 10mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-39
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Βασικός αριθμός προϊόντος
VN2210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Συναρμολόγηση/προέλευση PCN
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
2266-VN2210N2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7353D2
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
CPC3902ZTR
MOSFET N-CH 250V SOT223
