Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VMO550-01F
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VMO550-01F-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
Αποθέμα:
12821585
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VMO550-01F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
590A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 110mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2000 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Y3-DCB
Συσκευασία / Θήκη
Y3-DCB
Βασικός αριθμός προϊόντος
VMO550
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
