Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VBH40-05B
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VBH40-05B-DG
Περιγραφή:
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2-PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 500V 40A Chassis Mount V2-PAK
Αποθέμα:
12912823
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VBH40-05B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
4 N-Channel (Full Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
116mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
270nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
V2-PAK
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V2-PAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
VBH40
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4561DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
SI4563DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
