Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
MMIX1F180N25T-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Αποθέμα:
20 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12822065
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
MMIX1F180N25T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
132A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
570W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
24-SMPD
Συσκευασία / Θήκη
24-PowerSMD, 21 Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
MMIX1F180
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
20
Άλλα ονόματα
-MMIX1F180N25T
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
