Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
MCB60P1200TLB-TRR
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
MCB60P1200TLB-TRR-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Surface Mount 9-SMPD-B
Αποθέμα:
13271011
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
MCB60P1200TLB-TRR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
9-PowerSMD
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
9-SMPD-B
Βασικός αριθμός προϊόντος
MCB60P1200
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
200
Άλλα ονόματα
238-MCB60P1200TLB-TRRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN130N90SK
SIC 2N-CH 900V SOT227B
MCB30P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
MTC120W55GC-SMD
MOSFET 6N-CH 55V 150A