LSIC1MO120T0160-TU
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

LSIC1MO120T0160-TU

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

LSIC1MO120T0160-TU-DG

Περιγραφή:

1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) Surface Mount TO-263-7

Αποθέμα:

13374813
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

LSIC1MO120T0160-TU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
-
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
LSIC1MO120

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
400
Άλλα ονόματα
238-LSIC1MO120T0160-TU

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFH18N65X3

DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24

taiwan-semiconductor

TSM110NB04LCV

40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM160P02CS

-20, -11, SINGLE P-CHANNEL

taiwan-semiconductor

TSM10NC65CF

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE