Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
LSIC1MO120G0080
Product Overview
Κατασκευαστής:
Littelfuse Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
LSIC1MO120G0080-DG
Περιγραφή:
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 39A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
12963126
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
LSIC1MO120G0080 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
39A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
92 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
170 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
214W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
LSIC1MO120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
18-LSIC1MO120G0080
-1024-LSIC1MO120G0080
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
SI7302DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
