IXTY08N50D2-TRL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTY08N50D2-TRL

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTY08N50D2-TRL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

13140530
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTY08N50D2-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
800mA (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.6Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
312 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTY08

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
238-IXTY08N50D2-TRLCT
238-IXTY08N50D2-TRLDKR
238-IXTY08N50D2-TRLTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFA80N25X3-TRL

MOSFET N-CH 250V 80A TO263

littelfuse

IXTA36P15P-TRL

MOSFET P-CH 150V 36A TO263

littelfuse

IXTA6N50D2-TRL

MOSFET N-CH 500V 6A TO263

littelfuse

IXTA76P10T-TRL

MOSFET P-CH 100V 76A TO263