Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTY08N100P-TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTY08N100P-TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
13271136
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTY08N100P-TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTY08
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
238-IXTY08N100P-TRLTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFA110N15T2
MOSFET N-CH 150V 110A TO263
IXTP20N65X2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
IXFP36N55X2
IXFP36N55X2