Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTX90N25L2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTX90N25L2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 90A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Αποθέμα:
12820698
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTX90N25L2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear L2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 45A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
960W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTX90
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4868PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2189
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4868PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.47
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4332PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
471
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4332PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTP24N65X2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
IXUV170N075
MOSFET N-CH 75V 175A PLUS220
IXUN350N10
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
