Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTU01N100D
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTU01N100D-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Αποθέμα:
12818963
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTU01N100D Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTU01
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
70
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFP102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO220AB
IXTH440N055T2
MOSFET N-CH 55V 440A TO247
IXFH22N55
MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD
