Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTU01N100
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTU01N100-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Αποθέμα:
12912874
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTU01N100 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
54 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTU01
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
70
Άλλα ονόματα
IXTU01N100-NDR
Q1225942
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF9Z34STRL
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
SI4480DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
IXFP4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
