Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTT90P10P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTT90P10P-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Αποθέμα:
2 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819971
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTT90P10P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PolarP™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 45A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
462W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTT90
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
IXFV30N60PS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
IXFV22N60PS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS-220SMD
