Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTT16N20D2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTT16N20D2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 16A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Αποθέμα:
12821925
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTT16N20D2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
73mOhm @ 8A, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
208 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
695W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTT16
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFX24N100
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
IXFN210N30P3
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
IXFT20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
