Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTQ80N28T
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTQ80N28T-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 280V 80A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 280 V 80A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
12819577
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTQ80N28T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
280 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTQ80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA59N25
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
535
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA59N25-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.56
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFH86N30T
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
28
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFH86N30T-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
6.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFR15N100P
MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
IXTC160N085T
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
IXTP18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB