IXTQ75N10P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTQ75N10P

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTQ75N10P-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P

Αποθέμα:

3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12915039
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTQ75N10P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTQ75

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTP27N20T

MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB

vishay-siliconix

IRFPF40

MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3

vishay-siliconix

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4620DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO