Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTQ40N50Q
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTQ40N50Q-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 40A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
12819657
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTQ40N50Q Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
Q Class
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTQ40
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA28N50F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
31
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA28N50F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.56
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW32NM50N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW32NM50N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA24N40F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA24N40F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.76
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTQ42N25P
MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
IXFK72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
