Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTQ36N30P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTQ36N30P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
346 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821915
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
EyVr
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTQ36N30P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PolarHT™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTQ36
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
94-2304
MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
IXFX200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
IXFB82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264