IXTP70N075T2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTP70N075T2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTP70N075T2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 75V 70A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 70A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

12903553
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTP70N075T2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
TrenchT2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2725 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP70

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP60NF06
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
938
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP60NF06-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.66
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ44VZPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
333
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ44VZPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ44ZPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ44ZPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFB3806PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4313
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFB3806PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK30E06N1,S1X
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
24
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK30E06N1,S1X-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP1005UFDF-7

MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN

fairchild-semiconductor

FDFS2P103

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

littelfuse

IXTH16N20D2

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

diodes

VN10LP

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3