Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTP1R6N50D2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTP1R6N50D2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12819979
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTP1R6N50D2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
645 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STU4N52K3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2513
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STU4N52K3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFH80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD
IXTH130N15X4
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
IXTA36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
