Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTP120N20X4
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTP120N20X4-DG
Περιγραφή:
MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220 (IXTP)
Αποθέμα:
336 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12985773
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTP120N20X4 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
417W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 (IXTP)
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
238-IXTP120N20X4
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM043NH04LCR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G15P04K
P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
2SK3353-AZ
2SK3353 - N-CHANNEL POWER MOSFET
