Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTP05N100M
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTP05N100M-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821151
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTP05N100M Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
700mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP05
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN280N07
MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXTV110N25TS
MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD