IXTP02N50D
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTP02N50D

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTP02N50D-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

32 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818881
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTP02N50D Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Depletion
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 25µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Depletion Mode
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTP02

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
IXTP02N50D
Φύλλα δεδομένων
IXT(P,U,Y)02N50D
HTML Δελτίο δεδομένων
IXTP02N50D-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
-IXTP02N50D

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFR24N90P

MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247

littelfuse

IXTY2R4N50P

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252

littelfuse

IXTQ180N085T

MOSFET N-CH 85V 180A TO3P

littelfuse

IXFX34N80

MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247