Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTN200N10L2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTN200N10L2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
1748 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821714
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTN200N10L2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear L2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
178A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTN200
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
624413
Q5211084
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTP110N055T
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IXFX64N50P
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
IXTH30N25
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
