Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTL2X180N10T
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTL2X180N10T-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Αποθέμα:
12819804
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTL2X180N10T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Trench
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
151nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6900pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
150W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
ISOPLUSi5-PAK™
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUSi5-Pak™
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTL2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GWM120-0075X1-SMDSAM
MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
FMP26-02P
MOSFET N/P-CH 200V 26A I4-PAC
GWM160-0055X1-SMDSAM
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS